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扩散的结果使得接面附近的n型半导体失去电子得到空穴而带正电，p型半导体失去空穴得到电子而带负电。因为电荷密度不均因此在接面附近产生电场，如果有自由电子或空穴在电场内产生，则会因为受到电场的作用而移动，自由电子向n型半导体移动，而电洞向p型半导体移动，因此这个区域缺乏自由电子或空穴而称之为空乏区。当光照射在空乏区内将硅原子的电子激发产生光生电子与空穴对，电子与空穴对会因为电场作用而使电池内的电荷往两端集中，此时只要外加电路将两端连接即可利用电池内的电力
硅光电池就是一个大面积pn结。光照可以使薄薄的p型区产生大量的光生载流子。这些光生电子和空穴，会向pn结方向扩散。扩散过程中，商用空气能，一部分电子和空穴复合消失，空气能工程，大部分扩散到pn结边缘。在结电场的作用下，海口空气能，大部分光生空穴被电场推回p型区而不能穿越pn结；大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越pn结，到达n型区。随着光生电子在n型区的积累及光生空穴在p型号区的积累，空气能维修，会在在pn对的两侧产生一个稳定的电位差，这就是光生电动势。
光电控制器件----用作光电开关等光电控制设备的转换器件。三、半导体发光器件半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1、发光二极管发光二极管的管芯也是一个pn结，并具有单向导电性。pn结加上正向电压时，电子由n区渡越(扩散)到空间电荷区与空穴复合而释放出能量。这些能量大部分以发光的形式出现，因此，可以直接将电能转换成光能。
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