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在硅中加入五价原子后称之为n型半导体,加入三价原子后称之为p型半导体。n型半导体及p型半导体虽然带有自由电子或空穴但本身仍然保持电中性,如果n型半导体及p型半导体内杂质浓度均匀分布则内部没有电场存在。若将n型半导体及p型半导体接和在一起,会因为两边自由电子与空穴的浓度不同产生扩散。n型半导体中自由电子浓度较高,因此自由电子由n型半体向p型半导体扩散,同样的空穴会由p型半导体向n型半导体扩散。
半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。载流子就是由半导体原子 逸出来的电子及其留下的空位----- 空穴。电从原子中逃逸出来,酒店空气能热泵,必须吉凶服原子的束缚而做功,空气能热水工程,而光照正是向电子提供能量,使它有能力逃逸出来的一种形式。因此,光照可以改变载流子的浓度,从而必变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。1、光敏电阻这是一种半导体电阻。在没有光照时,五指山空气能,电阻很大;在一定波长范围的光照下,电阻值明显变小。
常用的光电效应转换器件有光敏电阻、光电倍增器、光电池、pin管、ccd等。光电倍增器是把微弱的输入转换为电子,并使电子获得倍增的电真空器件。当光信号强度发生变化时,阴极发射的光电子数目相应变化,空气能公司,由于各倍增极的倍增因子基本上保持常数,所以阳极电流亦随光信号的变化而变化,此即光电倍增管的简单工作过程。由此可见,光电倍增管的性能主要由光阴极、倍增极及极间电压决定。光电阴极受强光照射后,由于发射电子的速率---,光电阴极内部来不及重新补充电子,因此使光电倍增管的灵敏度下降。
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