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只有当光照射pn结时才能使耗尽层内产生载流子(电子-空穴对)，载流子被结内电场加速形成光电流。利用该原理制成的光电二极管称为耗尽层光电二极管。耗尽层光电二极管有pin层、pn层、金属-半导体型、异质型等ccd(charge coupled device)即电荷耦合器件，通过输入面上光电信号逐点的转换、储存和传输，在其输出端产生一时序信号。随着科技的进步，ccd技术日臻完善，已广泛用于安全防范、电视、工业、通信、远程教育、可视网络1电话等领域。
硅光电池就是一个大面积pn结。光照可以使薄薄的p型区产生大量的光生载流子。这些光生电子和空穴，会向pn结方向扩散。扩散过程中，文昌空气能，一部分电子和空穴复合消失，酒店空气能热泵，大部分扩散到pn结边缘。在结电场的作用下，大部分光生空穴被电场推回p型区而不能穿越pn结；大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越pn结，空气能公司，到达n型区。随着光生电子在n型区的积累及光生空穴在p型号区的积累，会在在pn对的两侧产生一个稳定的电位差，这就是光生电动势。
通过pn结将太阳能转换为电能。太阳能电池对光电转换材料的要求是转换、能制成大面积的器件，以便---地吸收太阳光。已使用的光电转换材料以单晶硅、多晶硅和非晶硅为主。用单晶硅制作的太阳能电池，转换达20%，空气能安装，但其成本高，主要用于空间技术。多晶硅薄片制成的太阳能电池，虽然光电转换效率不高（约10%），但价格低廉，已获得大量应用。此外，化合物半导体材料、非晶硅薄膜作为光电转换材料，也得到研究和应用。
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